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Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura

Certificazione
La CINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificazioni
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Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura

Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura
Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura

Grande immagine :  Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura

Dettagli:
Luogo di origine: Il Giappone
Marca: Hamamatsu
Numero di modello: S8745-01
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Imballaggi particolari: In una scatola
Tempi di consegna: giorni 3-5work
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1501/pcs/pre

Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura

descrizione
l'area fotografica è: × 2,4 2,4 millimetri Numero dei pixel: 1
Refrigerazione e: Non raffreddato Incapsulato: Metallo
Materiale: Metallico
Evidenziare:

Sensore fotoelettrico infrarosso S8745-01

,

Silicio fotoelettrico infrarosso del sensore

,

Fotodiodo della valanga del silicio

Descrizione di prodotto:

I fotodiodi del silicio S8745-01 con i preamplificatori sono utilizzati in analitico o negli strumenti di misura

Caratteristiche:

Fotodiodi del preamplificatore con le resistenze ed i condensatori integrati di risposte

S8745-01 è un sensore a basso rumore composto di fotodiodi, amplificatori operazionali, resistenze di risposte e condensatori, interamente imballati in un pacchetto molto piccolo. Una volta collegato ad un'alimentazione, può essere usato per le misure leggere deboli, quali i dispositivi dell'analisi o gli strumenti di misura. La sua superficie fotosensibile è collegata all'estremità della terra ed ha alta resistenza di rumore di contabilità elettromagnetica.

Caratteristiche di prodotto

Adatto a determinazione fotometrica precisa da ultravioletto a vicino infrarosso

Piccolo pacchetto del metallo con la finestra del quarzo: TO-5

Area fotosensibile: 2,4×2.4millimetro

Rf=1 incorporato Gω Cf=5 PF

Op-amp dell'input del FET di potere basso

NEP a basso rumore e basso

Resistenza di esterno per raggiungere guadagno variabile

Pacchetto con la protezione della funzione

Resistenza di rumore di contabilità elettromagnetica

Specifiche:

Tensione inversa (massimo) 20 V
la gamma di risposta spettrale è 190 a 1100 nanometro
Lunghezza d'onda di punta di sensibilità (valore tipico) 960 nanometro
Potere equivalente di rumore (valore tipico) 11×10-15 con hz1/2
Stati di misura Tipo. Ta=25 ℃, F =10Hz, λ=λp, salvo indicazione contraria

Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura 0

Fotodiodo fotoelettrico infrarosso della valanga del silicio del sensore S8745-01 in strumenti di misura 1

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Xu

Telefono: 86+13352990255

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