|
Dettagli:
|
| L'area fotografica è: | φ5 mm | Numero di pixel: | 1 |
|---|---|---|---|
| Incapsulato: | Metalli | il tipo di incapsulazione è: | TO-8 |
| Voltaggio inverso (max.): | 50 V | la gamma di risposta spettrale è: | da 320 a 1060 nm |
| Evidenziare: | S3071,Fotodiodo del silicio di ampia area |
||
Descrizione del prodotto:
S3071 Fotodiodo Si PIN con grande area fotosensibile con pacchetto TO-8 ad alta velocità
Caratteristiche:
Fotodiodo PIN al silicio ad alta velocità di grande area
L'S3071 ha una grande area fotosensibile, ma ha un'eccellente risposta di frequenza a 40 MHz.Questo diodo è adatto per FSO (optica dello spazio libero) e rilevamento di luce pulsata ad alta velocità.
Caratteristiche del prodotto
Zona fotosensibile:φ5,0 mm
Frequenza di taglio: 40 MHz (VR=24 V)
Alta affidabilità: TO-8 metal package
Condizioni di misurazione Ta=25°C, tipico, fotosensibilità: λ=780 nm, corrente scura: VR=24 V, frequenza di taglio: VR=24 V, capacità terminale:VR = 24 V, F = 1 MHz,λ=λp, Potenza equivalente rumore: VR=24 V, λ=λp, salvo diversa indicazione
Specificità:
| lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) | 920 nm |
| Sensibilità (valore tipico) | 0.54 A/W |
| Corrente scura (massimo) | 10000 pA |
| Tempo di aumento (valore tipico) | 18 mu s |
| Capacità di giunzione (valore tipico) |
40 pF
|
Persona di contatto: Xu
Telefono: 86+13352990255
