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Dettagli:
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| L'area fotografica è: | 20,8 × 2,4 mm | Numero di pixel: | 1 |
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| Rifrigeratore e: | Non raffreddati | Incapsulato: | Fabbricazione a partire da materie tessili |
| Evidenziare: | Sensore fotoelettrico di S7686 IR,Sensore fotoelettrico 550 nanometro di IR,Rivelatore infrarosso fotoelettrico del fascio |
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Descrizione del prodotto:
S7686 Sensore a fotodiodi SI con sensibilità vicina all'efficienza luminosa spettrale
Caratteristiche:
S7686 is a silicon photodiode whose spectral response characteristics are closer to the sensitivity (spectral luminescence efficiency) of the human eye than traditional visible light compensation sensors (S1133, ecc.).
La risposta spettrale è simile all'efficienza di luminescenza spettrale CIE
Confezione in ceramica, alta affidabilità
Zona fotografica: 2.4× 2,8 mm
Risposta ad alta velocità: 0,5 US (VR=0 V, RL=1 k)ω)
Valore Fs: valore tipico dell'8% (incidenza luminosa verticale)
Tempo di aumento (valore tipico).0.5 u s
Capacità di giunzione (valore tipico) 200 pF
Condizione di misurazione TYP.TA =25°C, salvo diversa indicazione,Fotosensibilità: λ=λp, corrente scura: VR=1V, capacità terminale:VR=0 V, f=10 kHz
Specificità:
| Voltaggio inverso (max.) | 10V |
| la gamma di risposta spettrale è | 480-660 nm |
| la lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) è stata | 550 nm |
| Sensibilità (valore tipico) | 0.38 A/W |
| Corrente scura (massimo) | 20 pA |
Persona di contatto: Xu
Telefono: 86+13352990255
