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Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas

Certificazione
La CINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificazioni
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Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas

Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas
Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas

Grande immagine :  Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: Uv
Numero di modello: GT-UVV-LW
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 5
Imballaggi particolari: Tubi di
Tempi di consegna: giorni 3-5work
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1501/pcs/pre

Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas

descrizione
Chip Size: 1 mm2 incapsulamento: TO46
Materiale: Finestra dello zaffiro, alta sensibilità, corrente al buio bassa Lunghezza d'onda di risposta: 290-440 nanometro
Applicazione tipica: Monitoraggio di trattamento UV
Evidenziare:

Modulo UV-C del sensore di GaN

,

Trattamento UV del modulo UV-C del sensore

,

Fotodiodo di SIC

Descrizione di prodotto:

Il sensore UV di GT-UVV-LW GaN è utilizzato per rilevazione ditrattamento degli agenti inquinanti del gas del monitoraggio

Caratteristiche:

Caratteristiche generali: la l nitruro di gallio dell'indio ha basato il materiale

l operazione fotovoltaica di modo

l alloggio del metallo di TO-46

l responsivity d'altezza e corrente al buio bassa

Applicazioni: Monitoraggio UV del LED, misura UV della dose di radiazioni, trattamento UV

Valutazioni massime dell'unità di valore di simbolo di parametri

Gamma di temperature di operazione Topt -25-85 Oc

Gamma di temperature di stoccaggio Tsto -40-85 Oc

Temperatura di saldatura (3 s) Tsol 260 Oc

Tensione inversa -10 V Vr-massima

Corrente al buio generale mm2 (Vr di dimensione A 1 del chip di caratteristiche (25 Oc) = V) identificazione -1

<1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">

Specifiche:

Specifiche Parametri
Lunghezza d'onda di picco 390nm
Sensibilità leggera 0.289A/W
Gamma di risposta spettrale (R=0.1×Rmax) - 290-440 nanometro
rapporto di rifiuto UV-visibile (Rmax/R400 nanometro) - >10

Fotodiodo UV-C di SIC del modulo del sensore di GaN per rilevazione di controllo di trattamento UV degli agenti inquinanti del gas 0

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Xu

Telefono: 86+13352990255

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