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Dettagli:
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| dimensione del chip: | 1 mm2 | Pacco: | SMD 3535 |
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| Caratteristiche: | Finestra in quarzo trasparente, alta sensibilità, scarsa corrente scura | Lunghezza d'onda di risposta: | 290-440 nm |
| Evidenziare: | A sensore UV basato InGaN del fotodiodo,Trattamento UV del sensore del fotodiodo,Rivelatore UV del fotodiodo |
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Descrizione del prodotto:
GS-UVV-3535LCW Sensore a fotodiodi UV basato su InGaN
Caratteristiche:
Caratteristiche generali:
1 Materiale a base di nitruro di indio e di gallio
L Funzionamento in modalità fotovoltaica
L SMD 3535 con vetro in ceramica a quarzo
L Alta sensibilità e bassa corrente scura
Applicazioni: monitoraggio a LED UV, misurazione della dose di radiazioni UV, UV curing
Parametri Valore simbolo Unità Classificazioni massime
Intervallo di temperatura di funzionamento Topt -25-85 oC
Intervallo di temperatura di conservazione Tsto -40-85 oC
Temperatura di saldatura (3 s) Tsol 260 oC
Voltaggio inverso Vr-max -10 V
Caratteristiche generali (25 oC) Dimensione del chip A 1 mm2 Corrente scura (Vr = -1 V) Id <1 nA Coefficiente di temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacità (a 0 V e 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coefficiente di temperatura Tc 0.065 %/ oC Capacità (a 0 V e 1 MHz) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Coefficiente di temperatura (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacità (a 0 V e 1 MHz) Cp 18 p>
Specificità:
| Lunghezza d'onda della risposta massima | λ p 390 nm |
| Rispondenza massima (a 385 nm) | Rmax 0,289 A/W |
| Intervallo di risposta spettrale (R=0,1 × Rmax) | 290-440 nm |
| Rapporto di rigetto UV-visibile (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Persona di contatto: Xu
Telefono: 86+13352990255
