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Dettagli:
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| Chip Size: | 1 mm2 | Pacchetto: | SMD 3535 |
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| Caratteristiche: | Alta finestra del quarzo trasparente, alta sensibilità, corrente al buio bassa | Lunghezza d'onda di risposta: | 290-440 nanometro |
| Applicazione tipica: | Monitoraggio di trattamento UV | ||
| Evidenziare: | A sensore UV basato InGaN del fotodiodo,Trattamento UV del sensore del fotodiodo,Rivelatore UV del fotodiodo |
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Descrizione di prodotto:
A fotodiodo UV basato InGaN LED UV di GS-UVV-3535LCW che controlla trattamento UV di misura UV della dose di radiazioni
Caratteristiche:
Caratteristiche generali:
la l nitruro di gallio dell'indio ha basato il materiale
l operazione fotovoltaica di modo
l pacchetto ceramico di SMD 3535 con la finestra del quarzo
l responsivity d'altezza e corrente al buio bassa
Applicazioni: Monitoraggio UV del LED, misura UV della dose di radiazioni, trattamento UV
Valutazioni massime dell'unità di valore di simbolo di parametri
Gamma di temperature di operazione Topt -25-85 Oc
Gamma di temperature di stoccaggio Tsto -40-85 Oc
Temperatura di saldatura (3 s) Tsol 260 Oc
Tensione inversa -10 V Vr-massima
Corrente al buio generale mm2 (Vr di dimensione A 1 del chip di caratteristiche (25 Oc) = V) identificazione -1 <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0=""> <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
<1 nA="" Temperature="" coefficient="">
Specifiche:
| Lunghezza d'onda del responsivisity di punta | λ p 390 nanometro |
| Responsivisity di punta (a 385 nanometro) | Rmax 0,289 A/W |
| Gamma di risposta spettrale (R=0.1×Rmax) | 290-440 nanometro |
| rapporto di rifiuto UV-visibile (Rmax/R450 nanometro) | - >10 - |
Persona di contatto: Xu
Telefono: 86+13352990255
