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Dettagli:
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| L'area fotografica è: | 50,8 × 5,8 mm | Numero di pixel: | 1 |
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| Rifrigeratore e: | Non raffreddati | il tipo di incapsulazione è: | TO-8 |
| Voltaggio inverso (max.): | 30 V | Intervallo di risposta spettrale: | Da 320 a 1100 Nm |
| Evidenziare: | Sensore fotoelettrico infrarosso di S2386-8K,Sensore fotoelettrico infrarosso 10 sistemi MV,Fotodiodo del carburo di silicio |
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Descrizione del prodotto:
S2386-8K Sensore fotoelettrico a infrarossi 10 mV Fotodiodo al carburo di silicio a bassa corrente scura
Caratteristiche:
Adatto per la luce visibile alla banda infrarossa vicina, determinazione fotometrica universale
Caratteristiche del prodotto
● Alta sensibilità nella banda visibile e in infrarossi vicini
● bassa corrente scura
● Alta affidabilità
● Alta linearità
Tempo di aumento (valore tipico).10 mu s
Capacità di giunzione (valore tipico) 4300 pF
Condizione di misurazione TYP.TA =25°C, a meno che non sia specificato diversamente, fotosensibilità: λ=960 nm, corrente scura: VR=10 mV, capacità terminale:VR=0 V, f=10 kHz
Specificità:
| la gamma di risposta spettrale è | Da 320 a 1100 nm |
| lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) | 960 nm |
| Sensibilità (valore tipico) | 0.6 A/W |
| Corrente scura (max.) | 50 pA |
Persona di contatto: Xu
Telefono: 86+13352990255
