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Dettagli:
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| Expected Operating Life: | Two years in air | Output Signal: | 1.70 ± 0.30 μA/ppm |
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| Resolution: | 0.1ppm | Temperature Range: | -40°C to +50°C |
| Evidenziare: | Fotodiodo di silicio a banda visibile,Fotodiodo al silicio a banda infrarossa |
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Descrizione del prodotto:
S2387-33R Il fotodiodo di silicio è adatto per fotometri di uso generale nella banda visibile all'infrarosso
Caratteristiche:
Fotodiodo di silicio PIN a quattro pixel
L'S2387-66R è un fotodiodo PIN in silicio da quattro pixel con sensibilità nello spettro ultravioletto al vicino infrarosso.ad esempio per l'allineamento del raggio laser.
caratteristica
- Formato a quattro (2 × 2) pixel
- Basso livello di crosstalk: massimo 2%
- Ampia gamma di risposta spettrale: da 190 a 1000 nm
- Risposta ad alta velocità: fc = 20 MHz
- Un pacchetto metallico TO-5
Il numero di pixel è di 4 segmenti
Metalli di incapsulamento
Categoria di pacchetto TO-5
Tipo di refrigerazione non raffreddata
Distanza di lunghezza d'onda di sensibilità da 190 a 1000 nm
lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) 720 nm
Fotosensibilità (valore tipico) 0,45A/W
Corrente scura (max.) 200 pA
Frequenza limite (valore tipico) 20 MHz
Capacità di giunzione (tipica) 25 pF
Condizioni di misurazione Valore tipico Ta = 25°C, salvo diversa indicazione,
Per ogni pixel (esclusa la superficie ricevente luce), sensibilità: λ = λp, corrente scura: VR = 5V, frequenza di taglio: VR = 5V, capacità di giunzione: VR = 5V, f = 1MHz
Specificità:
| Sensitività alla luce (valore tipico) | 0.45A/W |
| Corrente scura (max.) | 200 pA |
| Tempo di aumento (valore tipico) | 2 μs |
| Capacità di giunzione (valore tipico) | 25 pF |
Persona di contatto: Miss. Xu
Telefono: 86+13352990255
