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Casa ProdottiSensore fotoelettrico infrarosso

YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

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YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse
YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

Grande immagine :  YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

Dettagli:
Place of Origin: Japan
Marca: HAMAMATSU
Model Number: S1337-66BQ
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: 1
Packaging Details: boxed
Delivery Time: 3 days
Payment Terms: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Supply Ability: 2200
Contatto

YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

descrizione
High UV sensitivity: QE 75% (λ=200 nm) Receiving surface: 5.8 × 5.8 mm
Reverse voltage (Max.): 5V Rise time (typical value): 1 μs
Evidenziare:

Diodo fotodiodo di silicio ultravioletto

,

Fotodiodo di silicio di precisione

Descrizione del prodotto:

S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

Caratteristiche:

Adatti per la fotometria precisa nelle bande ultraviolette e infrarosse

caratteristica

- Alta sensibilità ai raggi UV: QE 75% (λ=200 nm)

- Capacità bassa

Superficie di ricezione 5,8 × 5,8 mm

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Categoria del pacchetto --

Tipo di refrigerazione non raffreddata

Voltaggio inverso (massimo) 5 V

Intervallo di risposta spettrale da 190 a 1100 nm

Lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) 960 nm

Fotosensibilità (valore tipico) 0,5A/W

Corrente scura (massimo) 100 pA

Tempo di aumento (valore tipico) 1 μs

Capacità di giunzione (tipica) 380 pF

Potenza equivalente rumore (valore tipico) 1,3 × 10-14 W/Hz1/2

Valori tipici delle condizioni di misurazione Ta=25°C, fotosensibilità: λ = 960 nm, corrente scura: VR = 10 mV, capacità di giunzione: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo diversa indicazione

Specificità:

Intervallo di risposta spettrale Da 190 a 1100 nm
lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) 960 nm
Sensitività alla luce (valore tipico) 0.5A /W
Corrente scura (max.) 100 pA

YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse 0

Prodotto Tag:

Sensore fotoelettrico infrarosso R9533,

Sensore di colore di RGB,

Sensore della fiamma di UVTRON

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Miss. Xu

Telefono: 86+13352990255

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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