|
Dettagli:
|
| Photosensitivity (typical value): | 0.5A /W | Dark current (Max.): | 50 pA |
|---|---|---|---|
| Rise time (typical value): | 0.2μs | Junction capacitance (typical): | 65 pF |
| Evidenziare: | Fotodiodo di silicio a bassa capacità |
||
Descrizione del prodotto:
S1337-16BQ Il fotodiodo di silicio a bassa capacità è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse
Caratteristiche:
Superficie di ricezione 5,9 × 1,1 mm
Altri prodotti di acciaio
Categoria del pacchetto --
Tipo di refrigerazione non raffreddata
Voltaggio inverso (massimo) 5 V
Intervallo di risposta spettrale da 190 a 1100 nm
Lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) 960 nm
Fotosensibilità (valore tipico) 0,5A/W
Corrente scura (max.) 50 pA
Tempo di aumento (valore tipico) 0,2 μs
Capacità di giunzione (tipica) 65 pF
Potenza equivalente rumore (valore tipico) 1,0×10-14 W/Hz1/2
Valori tipici delle condizioni di misurazione Ta=25°C, fotosensibilità: λ = 960 nm, corrente scura: VR = 10 mV, capacità di giunzione: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo diversa indicazione
Specificità:
| Intervallo di risposta spettrale | Da 190 a 1100 nm |
| lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) | 960 nm |
| Sensitività alla luce (valore tipico) | 0.5A /W |
| Corrente scura (max.) | 50 pA |
Persona di contatto: Miss. Xu
Telefono: 86+13352990255
