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Dettagli:
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| Receiving surface: | 18 × 18 mm | Reverse voltage (Max.): | 5 V |
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| Sensitivity (typical value): | 0.52 A/W | Dark current (Max.): | 500 pA |
| Evidenziare: | Diodo fotovoltaico al silicio UV,fotodiodi di silicio IR,Fotometria di precisione Fotodiodo di silicio |
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Descrizione del prodotto:
S1337-21 Il fotodiodo di silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse
Caratteristiche:
Superficie di ricezione 18 × 18 mm
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Categoria di imballaggio non sigillata
Categoria di imballaggio non sigillata
Tipo di refrigerazione non raffreddata
Voltaggio inverso (massimo) 5 V
Intervallo di risposta spettrale da 190 a 1100 nm
Lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) 960 nm
Sensibilità (valore tipico) 0,52 A/W
Corrente scura (max.) 500 pA
Tempo di aumento (valore tipico) 8 μs
Capacità di giunzione (tipica) 4000 pF
Potenza equivalente rumore (valore tipico) 2,5×10-14 W/Hz1/2
Valori tipici delle condizioni di misurazione Ta=25°C, fotosensibilità: λ = 960 nm, corrente scura: VR = 10 mV, capacità di giunzione: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo diversa indicazione
Specificità:
| Intervallo di risposta spettrale | Da 190 a 1100 nm |
| lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) | 960 nm |
| Sensitività alla luce (valore tipico) | 0.52A/W |
| Corrente scura (max.) | 500 pA |
Persona di contatto: Miss. Xu
Telefono: 86+13352990255
