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Dettagli:
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| lato ricevente luce: | × 2,4 2,4 millimetri | Incapsulazione: | Ceramiche |
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| Refrigerazione: | Altri prodotti di calzature | Voltaggio inverso (massimo): | 5 V |
| Intervallo di risposta spettrale: | Da 190 a 1000 Nm | Sensibilità alla luce (tipica): | 0.36 A/W |
| Evidenziare: | Diodiodi di silicio non raffreddati,Suppressi IR Silicon Photodiodes,S1227-33BQ Fotodiodi di silicio |
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fotodiodi di silicio S1227-33BQ
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto alla banda visibile; sopprime la sensibilità agli infrarossi
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV (tipo finestra al quarzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Sensibilità IR soppressa
- Corrente scura bassa.
| Potenza equivalente rumore (tipica) | 2.5×10- 15W/Hz1/2 |
| Capacità di giunzione (tipica) | 160 pF |
| Tempo di alzata (tipico) | 0.5 μs |
| Corrente scura (massimo) | 5 pA |
| Lunghezza d'onda di massima sensibilità (tipica) | 720 nm |
Fabbricazione a partire da materiali di cui all'allegato 1 del presente regolamento
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto alla banda visibile; sopprime la sensibilità agli infrarossi
Caratteristiche
- Confezionamento in resina
tipo - Suppressione della sensibilità all'infrarosso
- Corrente scura bassa.
| lato ricevente luce | 2.4 × 2,4 mm |
| Voltaggio inverso (massimo) | 5 V |
| Intervallo di risposta spettrale | 340 a 1000 nm |
| Sensibilità alla luce (tipica) | 0.43 A/W |
| Corrente scura (massimo) | 5 pA |
| Tempo di alzata (tipico) | 0.5 μs |
Persona di contatto: Miss. Xu
Telefono: 86+13352990255
