YJJ S4111-35Q Array di fotodiodi di silicio viene utilizzato nella banda ultravioletta al vicino infrarosso

Descrizione del prodotto:

S4111-35Q L'array di fotodiodi di silicio viene utilizzato nella banda ultravioletta al vicino infrarosso

Caratteristiche:

Una matrice di fotodiodi di silicio da 35 pixel adatta per la banda ultravioletta all'infrarosso vicino

S4111-35Q è un array lineare di fotodiodi di silicio installato in un DIP ceramico (package in-line doppio).con una lunghezza di banda non superiore a 50 mm,. Poiché tutti i pixel possono adottare il bias inverso della lettura di stoccaggio di carica, l'S4111-35Q può rilevare luce scarsa con elevata sensibilità. Minimizzare il crosstalk tra i pixel per mantenere la purezza del segnale.Può essere utilizzato come finestra di ricezione della luce per collegare filtri speciali (prodotti personalizzati).

Caratteristiche

- Superficie molto esposta

Basso livello di crosstalk

Più forte sensibilità al vicino infrarosso

Corrente scura bassa

Dimensione dei pixel (per ogni pixel): 0,9 × 4,4 mm

Numero di pixel: 35

Ceramiche di incapsulamento

Categoria del pacchetto: DIP a 40 pin

Non esiste un tipo di scintillatore

Tipo refrigerato non refrigerato

Voltaggio inverso (valore massimo) 15 V

La gamma di lunghezza d'onda di sensibilità è da 190 a 1100 nm

La lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico) è di 960 nm.

Sensitività fotosensibile (valore tipico): 0,58 A/W

Corrente scura (valore massimo) 10 pA

Tempo di aumento (valore tipico) 1,2 μs

Capacità di giunzione (valore tipico) 550 pF

Valore tipico della condizione di misurazione Ta = 25°C, salvo diversa indicazione

Per ogni pixel, sensibilità fotosensibile: λ = 960 nm, corrente scura: VR=10 mV, tempo di aumento: VR=0 V, capacità di giunzione: VR=0 V

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