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Dettagli:
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| Coefficiente di temperatura di sensibilità: | 1,08 volte/℃ | Intervallo di temperatura di conservazione: | -55 ℃ -125 ℃ |
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| Intervallo di temperatura operativo: | -40 ℃ -100 ℃ | Tensione massima inversa (Vᵣₘₐₓ): | 20 V |
| Resistenza di scambio: | 300 ~ 1200 MΩ | Capacità di giunzione: | Tipo. 4 pf |
| Evidenziare: | Sensori fotoelettrici a infrarossi per la comunicazione ottica,Sensore a fotodiodo InGaAs PIN,Sensore fotoelettrico con tecnologia InGaAs |
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G12181-003A Sensore fotoelettrico a infrarossi (fotodiodo PIN InGaAs) per sistemi di comunicazione ottica
Aree di applicazione:
Caratteristiche principali:
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Parametro |
Specifiche (Tip. / Max.) |
Condizioni di prova |
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| Area fotosensibile | φ0,3 mm | - |
| Numero di elementi di rilevamento | 1 (Singolo elemento) | - |
| Metodo di raffreddamento | Non raffreddato (Raffreddamento ambiente passivo) | - |
| Intervallo di risposta spettrale | 0,9 – 1,7 μm | Copre le bande NIR critiche (ad esempio, 1,3/1,55 μm per le telecomunicazioni) |
| Lunghezza d'onda di picco della sensibilità | ~1,55 μm | - |
| Fotosensibilità | Tip. 1,1 A/W | λ = 1,55 μm, Tensione inversa (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Corrente di buio | Max. 0,3 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Nessuna luce incidente |
| Frequenza di taglio (-3dB) | Tip. 800 MHz | Vᵣ = 5V, Resistenza di carico (Rₗ) = 50Ω, λ = 1,3 μm |
| Capacità di giunzione | Tip. 4 pF | Vᵣ = 5V, Frequenza (f) = 1 MHz |
| Potenza equivalente al rumore (NEP) | Tip. 3,5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Rilevabilità (D*) | Tip. 7,2×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Resistenza di shunt | 300 – 1200 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Nessuna luce |
| Tensione inversa massima (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
| Intervallo di temperatura di esercizio | -40℃ – 100℃ | Prestazioni stabili in ambienti industriali difficili |
| Intervallo di temperatura di stoccaggio | -55℃ – 125℃ | - |
| Coefficiente di temperatura della sensibilità | 1,08 volte/℃ | Relativo a 25℃, λ = 1,55 μm |
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Persona di contatto: Miss. Xu
Telefono: 86+13352990255