|
Dettagli:
|
| Tipo: | Vicino infrarosso (funzionamento a bassa polarizzazione) | Dimensioni dell'area attiva: | φ0,2 mm |
|---|---|---|---|
| Materiale della confezione: | Metallo | Tipo di pacchetto: | TO-18 |
| Evidenziare: | Sensore fotodiodo a valanga al silicio per infrarossi,Fotodiodo a infrarossi a bassa polarizzazione,Sensore fotoelettrico a infrarossi con garanzia |
||
S12023-02-01 Fotodiodo a Valanga al Silicio Funzionamento a Bassa Tensione nell'Infrarosso
Questo fotodiodo a valanga al silicio (Si APD) è progettato per la gamma del vicino infrarosso (banda 800 nm) e funziona a basse tensioni di 200 V o inferiori. È adatto per applicazioni quali telemetri ottici e comunicazioni ottiche in spazio libero.
Caratteristiche:
・Funzionamento stabile a bassa tensione di polarizzazione
・Velocità di risposta rapida
・Alta sensibilità e basso rumore
Specifiche:
|
Lunghezza d'onda della sensibilità di picco (tipica)
|
800 nm |
| Intervallo di lunghezze d'onda della sensibilità | 400–1000 nm |
| Fotosensibilità (tipica) | 0.5 A/W |
| Corrente di buio massima | 0.5 nA |
| Frequenza di taglio (tipica) | 1000 MHz |
| Capacità terminale tipica | 1 pF |
| Tensione di breakdown (tipica) | 150 V |
| Coefficiente di temperatura della tensione di breakdown (tipico) | 0.65 V/°C |
| Fattore di moltiplicazione (tipico) | 100 |
![]()
Persona di contatto: Xu
Telefono: 86+13352990255