logo
Casa ProdottiSensore fotoelettrico infrarosso

S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso

Certificazione
La CINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificazioni
La CINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso

S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso
S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso

Grande immagine :  S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso

Dettagli:
Luogo di origine: GIAPPONE
Marca: Hamamatsu
Numero di modello: S12023-02-01
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: Negoziabile
Imballaggi particolari: Pacchetto standard
Tempi di consegna: 3-5 giorni di lavorazione
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese

S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso

descrizione
Tipo: Vicino infrarosso (funzionamento a bassa polarizzazione) Dimensioni dell'area attiva: φ0,2 mm
Materiale della confezione: Metallo Tipo di pacchetto: TO-18
Evidenziare:

Sensore fotodiodo a valanga al silicio per infrarossi

,

Fotodiodo a infrarossi a bassa polarizzazione

,

Sensore fotoelettrico a infrarossi con garanzia

S12023-02-01 Fotodiodo a Valanga al Silicio Funzionamento a Bassa Tensione nell'Infrarosso

 

Questo fotodiodo a valanga al silicio (Si APD) è progettato per la gamma del vicino infrarosso (banda 800 nm) e funziona a basse tensioni di 200 V o inferiori. È adatto per applicazioni quali telemetri ottici e comunicazioni ottiche in spazio libero.


Caratteristiche:
・Funzionamento stabile a bassa tensione di polarizzazione
・Velocità di risposta rapida
・Alta sensibilità e basso rumore

 

Specifiche:

Lunghezza d'onda della sensibilità di picco (tipica)
800 nm
Intervallo di lunghezze d'onda della sensibilità 400–1000 nm
Fotosensibilità (tipica) 0.5 A/W
Corrente di buio massima 0.5 nA
Frequenza di taglio (tipica) 1000 MHz
Capacità terminale tipica 1 pF
Tensione di breakdown (tipica) 150 V
Coefficiente di temperatura della tensione di breakdown (tipico) 0.65 V/°C
Fattore di moltiplicazione (tipico) 100

 

S12023-02-01 Fotodiodo a valanga al silicio, funzionamento a bassa polarizzazione nell'infrarosso

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Xu

Telefono: 86+13352990255

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)