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Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA

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Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA

Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA
Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA

Grande immagine :  Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: YJJ
Numero di modello: GS-AB-S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 5
Imballaggi particolari: Tubi di
Tempi di consegna: giorni 3-5work
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1501/pcs/pre

Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA

descrizione
Materiale: materiale di base del nitruro di gallio Banda larga: Fotodiodo di UVA+UVB+UVC
Principio: Funzionando nel modo fotovoltaico Imballaggio: TO-46
Oggetto di prova: Rilevazione ultravioletta
Evidenziare:

Sensore UV GS-AB-S del fotodiodo

,

A sensore UV basato GaN del fotodiodo

,

Fotodiodo UV di UVA

Descrizione di prodotto:

A fotodiodo UV basato GaN di GS-AB-S

Caratteristiche:

Vasto fotodiodo della banda UVA+UVB+UVC

Operazione fotovoltaica di modo

Alloggio di TO-46metal

Buona cecità visibile

Alto responsivity e corrente al buio bassa

Monitoraggio UV di indice, misura UV della dose di radiazioni, rilevazione della fiamma

Specificazione

Parametri Simbolo Valore Unità
Valutazioni massime
Gamma di temperature di operazione Topt -25-85 Oc
Gamma di temperature di stoccaggio Tsto -40-85 Oc
Temperatura di saldatura (3 s) Tsol 260 Oc
Tensione inversa Vr-massimo -10 V
Caratteristiche generali (25 Oc)
Dimensione del chip 1 mm2
Corrente al buio (Vr = -1 V) Identificazione <1>Na
Coefficiente di temperatura (@265 nanometro) TC 0,05 % di Oc
Capacità (a 0 V ed a 1 megahertz) Cp 18 PF
Caratteristiche di risposta spettrale (25 Oc)
Lunghezza d'onda del responsivity di punta λ p 355 nanometro
Responsivity di punta (a 355 nanometro) Rmax 0,20 A/W
Gamma di risposta spettrale (R=0.1×Rmax) - 210-370 nanometro
rapporto di rifiuto UV-visibile (Rmax/R400 nanometro) - >104 -

Specifiche:

Specifiche Parametri
Lunghezza d'onda di picco 355NM
Sensibilità leggera 0.20A/W
Tempo di aumento 3US
Condizioni di prova valori tipici, Ta=25°

Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA 0

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Xu

Telefono: 86+13352990255

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