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S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm

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La CINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificazioni
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S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm

S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm
S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm

Grande immagine :  S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: Hamamatsu
Numero di modello: S12060-02
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: Negoziabile
Imballaggi particolari: Imballaggio standard
Tempi di consegna: 5-8workingdays
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1000 PCS/MESE
Contatto

S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm

descrizione
Tipo: Infrarosso vicino (coefficiente di bassa temperatura) Superficie ricevitrice di luce: φ0,2 mm
Pacco: Metalli Categoria del pacchetto: TO-18
Evidenziare:

S12060-02 Diodo a valanga

,

Diodo a valanga Coeffi Cient

,

Diodo a valanga a bassa temperatura

S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm

 

Caratteristiche:

Coefficiente di temperatura della tensione di rottura:
0.4 V/°C
Risposta ad alta velocità
Alta sensibilità e basso rumore

 

Applicazioni:

Dispositivi per il controllo delle emissioni
FSO
Comunicazioni in fibra ottica

 

Fogli dati:

Lunghezza d'onda di sensibilità massima (tipica) 800 nm
Intervallo di lunghezza d'onda di sensibilità Da 400 a 1000 nm
Fotosensibilità (tipica) 0.5 A/W
Corrente scura (massimo) 0.5 nA
Frequenza di taglio (tipico) 1000 MHz
Capacità di giunzione (tipica) 1.5 pF
Tensione di rottura (tipica) 200 V
Coefficiente di temperatura della tensione di rottura (tipico) 0.4 V/°C
Rapporto di guadagno (valore tipico) 100

 

S12060-02 Fotodiodo di avalanche di silicio Senspr Coefficienti di bassa temperatura Tipo APD per banda 800 Nm 0

 

Prodotto Tag:

Ciechi solari del sensore UV della fiamma,

sensore UV della fiamma 0.25mm2,

sensore di rilevazione di luce UV di 370 nanometro

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Xu

Telefono: 86+13352990255

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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