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S1337-33BQ Fotodiodo al silicio per fotometria di precisione UV-IR, bassa capacità

Certificazione
La CINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificazioni
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S1337-33BQ Fotodiodo al silicio per fotometria di precisione UV-IR, bassa capacità

S1337-33BQ Fotodiodo al silicio per fotometria di precisione UV-IR, bassa capacità
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Grande immagine :  S1337-33BQ Fotodiodo al silicio per fotometria di precisione UV-IR, bassa capacità

Dettagli:
Place of Origin: Japan
Marca: Hamamatsu
Model Number: S1337-33BQ
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Imballaggi particolari: Pacchetto standard
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 3000/pcs/mese

S1337-33BQ Fotodiodo al silicio per fotometria di precisione UV-IR, bassa capacità

descrizione
Area fotosensibile: × 2,4 2,4 millimetri Pacchetto: Ceramica
Raffreddamento: Altri prodotti di calzature Voltaggio inverso (max.): 5 v
Evidenziare:

Sensore a fotodiodi UV ad ultrasensibilità

,

Sensore a fotodiodi UV a basso rumore

,

sensore UV di tipo fotodiodo

S1337-33BQ Fotodiodo al silicio per fotometria di precisione UV-IR, bassa capacità

 

Questi fotodiodi al silicio hanno sensibilità nella gamma UV-vicino IR. Sono adatti per la rilevazione di bassi livelli di luce in analisi
e simili.

 

Caratteristiche
Alta sensibilità UV: QE75% (=200 nm)
Bassa capacità

 

Applicazioni
Apparecchiature analitiche
Strumentazione di misura ottica

 

Specifiche:

Gamma di risposta spettrale
da 190 a 1100 nm
Lunghezza d'onda di picco di sensibilità (tip.) 960 nm
Fotosensibilità (tip.) 0,5 A/W
Corrente di buio (max.) 30 pA
Tempo di salita (tip.) 0,2 μs
Capacità terminale (tip.) 65 pF
Potenza equivalente al rumore (tip.) 8,1×10-15 W/Hz1/2


 

Dettagli di contatto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona di contatto: Xu

Telefono: 86+13352990255

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