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Dettagli:
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| Lunghezza d'onda della sensibilità di picco (tip.): | 800 Nm | Intervallo di risposta spettrale: | 400 nm - 1000 nm |
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| Corrente scura (massimo): | Na 2 | Area fotosensibile: | φ1 mm |
| Capacità terminale (tipico): | 6 PF | tensione di rottura (tipico): | 200 V |
| Evidenziare: | Fotodiodo a valanga al silicio a infrarossi,Fotodiodo a valanga per telemetri ottici,Sensore fotodiodo UV con garanzia |
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S12060-10 Fotorilevatore a valanga al silicio a infrarossi vicini per principalmente includendo telemetri ottici
Caratteristiche principali:
Ha un basso coefficiente di temperatura della tensione di rottura di 0,4 V/℃, che garantisce un funzionamento stabile in un ampio intervallo di temperature e non è facilmente influenzato dalle variazioni della temperatura ambiente.
Applicazioni tipiche:
Questo sensore è ampiamente utilizzato in scenari che richiedono un rilevamento ottico a infrarossi vicini di alta precisione, principalmente inclusi telemetri ottici, sistemi di ottica a spazio libero (FSO), apparecchiature diagnostiche mediche, dispositivi di comunicazione ottica e altri campi che richiedono un rilevamento stabile del segnale ottico in condizioni di temperatura variabile.
| Lunghezza d'onda di sensibilità di picco (Tip.) | 800 nm |
| Gamma di risposta spettrale | 400 nm - 1000 nm |
| Area fotosensibile | φ1 mm (0,7854 mm²) |
| Fotosensibilità (Tip.) | 0,5 A/W (misurato a λ = 800 nm, M = 1) |
| Corrente di buio (Max.) | 2 nA |
| Frequenza di taglio (Tip.) | 600 MHz |
| Capacità terminale (Tip.) | 6 pF |
| Tensione di rottura (Tip.) | 200 V |
| Coefficiente di temperatura della tensione di rottura (Tip.) | 0,4 V/℃ |
| Guadagno (Tip.) | 100 |
| Package | Package metallico TO-18 |
| Temperatura di esercizio | - 40℃ a +85℃ |
| Temperatura di stoccaggio | - 55℃ a +125℃ |
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Persona di contatto: Miss. Xu
Telefono: 86+13352990255