La CINA Sensore UV del fotodiodo

• 

  Sensore di controllo ultravioletto del sensore UV del fotodiodo di GS-ABC-2835M Solar

  Chip Size:0,22 mm2

  Pacchetto:SMD 2835

  Caratteristiche:Alta risposta, corrente al buio bassa, buona cecità leggera visibile

  Contattaci
• 

  sensore UV 0.22mm2 GT-ABC-M di indice di 355 nanometro per il monitoraggio UV della lampada di disinfezione

  Descrizione di prodotto:La dimensione del chip è 0.22mm2

  incapsulamento:TO46

  Materiale:Finestra dello zaffiro

  Contattaci
• 

  GT-UVB-M Sensore di rilevamento di fotodiodi UV GaN Crawler

  dimensione del chip:0.77 mm2

  Incapsulazione:TO46

  Caratteristiche:Finestra di zaffiro, alta sensibilità, scarsa corrente scura

  Contattaci
• 

  Sensore di controllo UV di indice di Schottky del sensore UV della lampada di GUVA-S12SD

  Temperatura di stoccaggio:-40-90°

  Temperatura di lavoro:-30-85°

  Tensione inversa:30 ℃ superiore Vr, massimo. Se, ㎂ massimo di V Ir = 1

  Contattaci
• 

  GT-UV400-L Sapphire Window UV Photodiode Sensor per il monitoraggio fotocatalitico UV

  dimensione del chip:1 mm2

  Incapsulazione:TO46

  Caratteristiche:Finestra di zaffiro, alta sensibilità, scarsa corrente scura

  Contattaci
• 

  Base del nitruro di gallio del sensore di G365T01L UVA UVB che funziona nel modo fotovoltaico

  Materiale:materiale di base del nitruro di gallio

  Oggetto di prova:fotodiodo a banda larga di UVA+UVB+UVC

  Principio:Funzionando nel modo fotovoltaico

  Contattaci
• 

  Ad operazione fotovoltaica UV basata GaN di modo del sensore GS-AB-S del fotodiodo di UVA

  Materiale:materiale di base del nitruro di gallio

  Banda larga:Fotodiodo di UVA+UVB+UVC

  Principio:Funzionando nel modo fotovoltaico

  Contattaci
• 

  Monitoraggio dell'indice UV dei fotodiodi UV basato su GaN GT-ABC-L

  Materiale:Materiale di base del nitruro di gallio

  Condizioni di prova:fotodiodi a banda larga UVA+UVB+UVC

  Principio:Funzionamento in modalità fotovoltaica

  Contattaci
• 

  S1226-5BQ SI Pin Photodiode per fotometria da UV a visibile di precisione sopprime la sensibilità vicino IR

  Pacco:TO-5

  Dimensione della superficie fotosensibile:2.4*2,4 mm

  Voltaggio inverso:5V

  Contattaci
• 

  S1227-66BR Si Fotodiodo Alta sensibilità UV Sensibilità IR Reverse Voltahe VR Max 5V

  Pacchetto:8,9 x 10,1 mm

  Dimensione di area attiva:5,8 x 5,8 mm

  Voltaggio inverso VR Max.:5V

  Contattaci
• 

  S1337-33BR 10-20mA Interfaccia analogica del fotodiodo Si per misurazioni accurate

  Tempo di risposta:1-2MS

  Sensibilità:Altezza

  Temperatura di conservazione:-40 a +125°C

  Contattaci
• 

  S12060-10 Fotodiodo di avalanche di silicio Coefficiente a bassa temperatura

  Tipo:Tipo infrarosso vicino

  Area fotosensibile:φ1 mm

  Pacco:Metalli

  Contattaci