La CINA Sensore fotoelettrico infrarosso

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  YJJ S1223 S1223-01 Il fotodiodo al silicio PIN viene utilizzato per la determinazione fotometrica precisa nella luce visibile alla banda infrarossa vicina

  Superficie illuminata:3.6 × 3.6 mm

  Imballaggio:Metalli

  Categoria di imballaggio:TO-5

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  YJJ G6854-01 InGaAs PIN Fotodiodo Lente Sferico Confezionato

  Dissipazione del calore:tipo di raffreddamento

  Intervallo di lunghezza d'onda di sensibilità:00,9 a 1,7 μm

  lunghezza d'onda di sensibilità massima (valore tipico):10,55 μm

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  S16767-01MS Diodo fotodiodo al silicio a bassa corrente scura per il raggio visibile

  Area fotosensibile:20,8 × 2,4 mm

  Imballaggio:Prodotti di plastica

  Frigorifero:Non raffreddato

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  Fotodiodi di silicio visibili alla banda infrarossa S16840-02MS con sensibilità fotosensibile di 0,3 A/W e tempo di aumento di 2,5 μs

  Corrente al buio:PA 10

  Tempo di aumento:2,5 μs

  Sensitività alla luce:0.3 A/W

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  YJJ S16838-01MS Il fotodiodo di silicio è utilizzato nella luce visibile alla banda infrarossa vicina

  Capacità di giunzione:700 pF

  Tempo di aumento:2,5 μs

  Corrente al buio:PA 10

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  YJJ S16765-01MS Il fotodiodo di silicio viene utilizzato nella luce visibile alla banda infrarossa vicina

  Sensitività alla luce:0.3 A/W

  Corrente al buio:PA 10

  Tempo di aumento:2,5 μs

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  YJJ S16767-01MS Il fotodiodo di silicio viene utilizzato nella luce visibile alla banda infrarossa vicina

  Sensitività alla luce:0.3 A/W

  Corrente al buio:PA 10

  Tempo di aumento:2,5 μs

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  YJJ S4111-35Q Array di fotodiodi di silicio viene utilizzato nella banda ultravioletta al vicino infrarosso

  Dimensione del pixel:00,9 × 4,4 mm

  Conteggio del pixel:35

  Imballaggio:Fabbricazione a partire da materie tessili

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  S1133 S1133-14 S1133-01 S1133-01 Fotodiodo in ceramica Photodiode con bassa corrente scura

  Dimensione dell' area attiva:2.4x2.8

  Area attiva effettiva:6,6

  Voltaggio inverso VR Max.:10

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  G12180-005A Fotodiodi InGaAs PIN a basso rumore in confezione TO-18

  lato ricevente luce:φ0,5 mm

  Numero di pixel:1

  Incapsulazione:Metalli

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  G12180-010A Fotodiodi InGaAs PIN a bassa capacità di giunzione con gamma di lunghezza d'onda di sensibilità da 0,9 a 1,7 μm e incapsulazione metallica

  lato ricevente luce:φ1,0 mm

  Numero di pixel:1

  Incapsulazione:Metallo

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  UVTRON R9533 Facile installazione nella maggior parte dei dispositivi ad alta sensibilità e ampio campo visivo utilizzando materiale Ni elettrodo

  Materiale dell'elettrodo:NI

  Peso:2,5 g

  [Classifica massima]:30 mA

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