La CINA Sensore fotoelettrico infrarosso

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  S1336-44BQ Pin fotodiodo di silicio a bassa capacità UV a NIR per fotometria di precisione

  Zona sensibile:3.6 × 3.6 mm

  Numero di pixel:1

  Rifrigeratore e:Non raffreddati

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  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  Area fotosensibile:2,8 × 2,4 mm.

  Intervallo di risposta spettrale:320nm a 730nm

  Fotosensibilità:0,3a/w

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  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  Area fotosensibile:2,8 × 2,4 mm

  Intervallo di risposta spettrale:Da 320 a 1100 nm

  PAGGIO DI SENSITIVO TIPO.:0,58a/w

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  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  Dimensioni dei pixel:12,5 × 250μm.

  Intervallo di risposta spettrale:400 - 1000nm.

  Video dati dati:Fino a 5 MHz

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  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  Intervallo di output spettrale:Tipo. 1 - 20 μm

  Resistenza al calore:40 ± 20 Ω

  Costante di tempo:spettrografia di massa 15

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  YJJ S1226-8BK Fotodiodo di silicio ad alta affidabilità è adatto per la fotometria di precisione dall'ultravioletto alla luce visibile

  Ricezione della superficie:50,8 × 5,8 mm

  Categoria pacchetto:TO-8

  Voltaggio inverso (max.):5v

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  Sensore di fotodiodi UV S1133-01 per esposimetro e illuminometro

  Dimensione dell' area attiva:2.4 x 2.8

  Area attiva effettiva:6.6

  Voltaggio inverso VR Max. (V):10

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  S6931-01 Fotodiodi di silicio stampati in imballaggi di plastica trasparente

  lato ricevente luce:2.4 × 2,8 mm

  Incapsulazione:Plastica

  Raffreddamento:Altri prodotti di calzature

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  S6775 S6775-01 SILICON PIN Photodiode Risposta ad alta velocità

  lato ricevente luce:5.5 × 4,8 mm

  Incapsulazione:Plastica

  Refrigerazione:Altri prodotti di calzature

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  Fotodiodo S7686 Si altamente sensibile con lunghezza d'onda di sensibilità massima a 550 nm e gamma di risposta spettrale di 480-660 nm

  Tensione inversa:10 v

  Temperatura operativa:-10 a +60 °C

  Temperatura di conservazione:-20 a +70 °C

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  Fotodiodi a pin di silicio S1226-8BK S1226-8BQ Alta affidabilità

  lato ricevente luce:50,8 × 5,8 mm

  Incapsulazione:metallo

  Categoria pacchetto:TO-8

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  EMIRS200-AT01T-BR090 Sorgente di luce infrarossa portatile a bassa potenza per analizzatori di gas portatili

  Intervallo spettrale:2 ~ 14 μm

  Lunghezza d'onda delle emissioni di picco:9,6 μm (assorbimento di CO₂)

  Potere radiante:33 MW (a 500 ° C)

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