La CINA Sensore fotoelettrico infrarosso

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  S1336-44BQ Pin fotodiodo di silicio a bassa capacità UV a NIR per fotometria di precisione

  Zona sensibile:3.6 × 3.6 mm

  Numero di pixel:1

  Rifrigeratore e:Non raffreddati

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  Sensore fotoelettrico a infrarossi T15770 ad alta sensibilità per applicazioni fotosensibili

  Risposta spettrale:40,45 μm

  Pacchetto:TO - 18 imballaggio in metallo

  Area fotosensibile:1.2 x 1,2 mm

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  Imballaggio ad alta precisione Sensore fotoelettrico a infrarossi non raffreddato di tipo S16765-01MS con bassa corrente oscura e tempo di risalita di 0,5 μs

  Area fotosensibile:20,8 × 2,4 mm

  Numero di pixel:1

  Metodo di raffreddamento:Tipo non raffreddato

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  Il fotodiodo al silicio YJJ S1226-5BQ è utilizzato per la determinazione fotometrica precisa nella banda della luce ultravioletta e visibile.

  Superficie di ricezione della luce:2,4 × 2.4mm

  Corrente scura (massimo):PA 5

  Con:LENTE

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  YJJ S1227-66BR Modello di potatura in resina a fotodiodi di silicone è adatto per la fotometria di precisione dall'ultravioletto alla luce visibile

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S1227-1010BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la soppressione fotometrica di precisione della sensibilità all'infrarosso nella banda ultravioletta alla banda visibile

  Receiving surface:10 × 10 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S1337-33BR Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

  Receiving surface:2.4 × 2.4 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S1337-66BQ Il fotodiodo al silicio è adatto per la fotometria di precisione nelle bande ultraviolette e infrarosse

  High UV sensitivity:QE 75% (λ=200 nm)

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Reverse voltage (Max.):5V

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  YJJ S1337-1010BQ S1337-1010BR Fotodiodo di silicio per fotometria di precisione nell'intervallo UV-IR

  Refrigerazione:Tipo non raffreddato

  Intervallo di lunghezza d'onda di sensibilità:Da 190 a 1100 Nm

  Numero di pixel:1

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  Y1964 Pentax Pantaix Mainframe Lampada al xenon La soluzione definitiva per l'illuminazione automobilistica

  Modello:Y1964

  Scopo:Applicato principalmente nell'illuminazione automobilistica

  Quantità di ordine minimo:1

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  YJJ S16838-02MS Fotodiodo al silicio da 320 a 1100 nm con filtro, fotodiodo al silicio ad alta sensibilità

  Refrigerazione:Tipo non raffreddato

  Intervallo di risposta spettrale:Da 320 a 1100 Nm

  Lunghezza d'onda di massima sensibilità:(valore tipico) 960 nm

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  Detettore piroelettrico PLANAR Multi-Channel LIM-252-GH

  Costante di tempo termico:spettrografia di massa 100

  Dimensione dell'apertura:ø6,0 mm

  Densità di rumore:220 NV/√Hz

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