La CINA Sensore fotoelettrico infrarosso

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  G12181-003A Sensore fotoelettrico a infrarossi (fotodiodo InGaAs PIN) per sistemi di comunicazione ottica

  Coefficiente di temperatura di sensibilità:1,08 volte/℃

  Intervallo di temperatura di conservazione:-55 ℃ -125 ℃

  Intervallo di temperatura operativo:-40 ℃ -100 ℃

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  YJJ S8745-01 S8746-01 Fotodiodi al silicio con preamplificatore sono utilizzati per la misurazione a bassa luminosità

  RF incorporato:1 GΩ e CF = 5 pf

  Superficie di emettizzazione della luce:× 2,4 2,4 millimetri

  Pacchetto:Metallo

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  YJJ G12181-003A Fotodiodo InGaAs PIN non raffreddato può essere utilizzato per rilevare le dimensioni di varie aree sensibili alla luce

  Conteggio del pixel:1

  Pacchetto:Metallo

  Categoria pacchetto:TO18

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  YJJ S2386-5K Apparecchiature analitiche Apparecchiature di misurazione ottica Giapponesi Fotodiodi

  Superficie di emettizzazione della luce:× 2,4 2,4 millimetri

  Pacchetto:Metallo

  Tipo di pacchetto:To-5

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  YJJ S6967 S6967-01 Pacchetto SIP in plastica a fotodiodo siliconico PIN per il rilevamento nella luce visibile fino al raggio infrarosso vicino

  Intervallo di risposta spettrale:Da 320 a 1060 nm

  Lunghezza d'onda di sensibilità massima:900 nm

  Sensibilità fotografica:0,65 A/W.

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  EMIRS200_AT01T_BR090 Sorgente a infrarossi basata su MEMS termici TO39 Package

  Tipo:Infrarosso

  Temperatura operativa:-40 ° C ~ 125 ° C.

  Tipo di montaggio:Attraverso il buco

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  YJJ S10227-10 Sensore di immagine CMOS a matrice lineare sigillato con piccola resina per applicazioni industriali

  Pixel pitch:12,5 μm

  Altezza del pixel:250 μm

  Velocità di dati del segnale:massimo 5 MHz

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  Il fotodiodo PIN al silicio YJJ S3072 è utilizzato per la rilevazione di luce pulsata ad alta velocità nella trasmissione ottica spaziale

  Light-emitting surface:3.0 mm

  Package:Metal

  Package category:TO-5

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  S6428-01 Sensore di colore RGB a fotodiodi Si Materiale plastico

  Area fotosensibile:20,8 × 2,4 mm

  Intervallo di risposta spettrale:Da 400 a 540 Nm

  Corrente scura (massimo):0.02 NA

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  S2386-18K Fotodiodi Si per la fotometria a uso generale visibile a vicino IR

  Pacchetto:TO-18

  Tensione inversa:30 V

  Temperatura operativa:Da -40 a +100°C

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  S1337-1010BR Fotodiodo Si per fotometria di precisione UV-IR a bassa capacità

  Materiale della finestra:Fabbricazione di vasi di resina

  Pacchetto:15*16,5 mm

  I fotosensibili sono dimensioni:10*10mm

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  BPW21R Piano di fotodiodo al silicio PN a bassa corrente scura TO-5

  Tensione inversa:10V

  Dissipazione del potere:300 mW

  TEMPERATURA DI GIUNZIONE:125°C

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