La CINA Sensore fotoelettrico infrarosso

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  S12915-33R Sensore a fotodiodi di silicio per fotometro generale a bassa corrente scura

  la ricezione della dimensione di superficie è:2,4 × 2.4mm

  Efficace area fotosensibile:5,7 mm2

  la tensione inversa massima è:30 V

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  Fotodiodi a pin di silicio S1336-8BK S1336-8BQ Alta sensibilità nella banda ultravioletta

  lato ricevente luce:50,8 × 5,8 mm

  Incapsulazione:Metalli

  Categoria del pacchetto:TO-8

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  YJJ G12180-005A InGaAs PIN Photodiode Superficie di ricezione: φ0,5 mm

  Ricezione della superficie:φ0,5 mm

  Numero di pixel:1

  Pacco:Metalli

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  Soluzioni di scarico e di scarico

  lato ricevente luce:1.1 × 1,1 mm

  Incapsulazione:Metalli

  Categoria del pacchetto:TO-18

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  Fotodiodi a pin di silicio S1336-5BK S1336-5BQ Alta sensibilità nella banda ultravioletta

  lato ricevente luce:× 2,4 2,4 millimetri

  Incapsulazione:Metalli

  Categoria del pacchetto:TO-5

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  Fotodiodo a pin di silicio S1336-44BQ S1336-44BK Alta sensibilità nella banda ultravioletta

  lato ricevente luce:3.6 × 3,6 mm

  Incapsulazione:Metalli

  Categoria del pacchetto:TO-5

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  YJJ S4349 Array di fotodiodi al silicio PIN a quattro pixel utilizzato per l'allineamento del fascio laser

  Basso livello di crosstalk: massimo:2%

  Ampia gamma di risposta spettrale:Da 190 a 1000 Nm

  Risposta ad alta velocità:fc = 20 MHz - TO-5 pacchetto metallico

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  YJJ S6775-01 Silicio PIN Fotodiodo SIP in plastica Confezione in linea singola 5.5 × 4.8 mm Superficie di ricezione

  Plastic package:7 × 7.8mm

  Receiving surface size:5.5 × 4.8mm

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S12053-02 SILICON APD Avalanche Photodiode a corta lunghezza d'onda

  Intervallo di lunghezza d'onda di sensibilità:Da 200 a 1000 nm

  Sensitività alla luce (valore tipico):0.42 A/W

  Corrente scura (massimo):Na 5

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  YJJ S12060-02 Coefficiente di bassa temperatura del silicio APD per banda di 800 nm in incapsulamento metallico e confezione TO18

  Ricezione della superficie:φ0,2 mm

  Incapsulazione:Metalli

  Categoria del pacchetto:TO18

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  YJJ S1337-21 Fotodiodo di silicio La soluzione ideale per la fotometria di precisione nelle bande UV e IR

  Receiving surface:18 × 18 mm

  Reverse voltage (Max.):5 V

  Sensitivity (typical value):0.52 A/W

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  Determinazione fotometrica di precisione del fotodiodo di silicio a bassa capacità nelle bande UV a NIR

  Package category:TO-5

  Refrigeration:Uncooled type

  Reverse voltage (Max.):5V

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